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| 我国研制成功世界首只砷化镓基1.55微米室温连续激射光 2005-10-8 10:11:00 |
由中国科学院半导体研究所承担的国家“973”、“863”和中科院重大项目“新一代镓铟氮砷（GainNAs）长波长光电子材料与器件”近日取得重要进展：研制成功工作波长1.58微米的镓铟氮砷锑/镓砷长波长（GaInNAsSb/GaAs）单量子阱边发射激光器，实现室温连续激射，其性能参数，如阈值电流达到镓砷（GaAs）基1.2～1.6微米波段的同类激光器水平，超越国际同行1.5微米的研究结果。这标志着我国砷化镓基近红外波段光电子材料与器件的研究已形成拥有自主知识产权的完整体系，并处于世界领先地位。 半导体所超晶格国家重点实验室和集成电子国家重点实验室联合研究组，近日在国际上首次实现砷化镓基1.55微米以上室温连续激射，结合该联合研究组于200 |
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