| 行业信息[材料] |
| UCSB中村等试制半极性蓝紫色半导体激光器 2007-5-17 13:16:00 |
| 美国加州大学圣塔巴巴拉分校（UCSB）教授中村修二领导的研究小组发表了利用GaN结晶半极性面（Semipolar）的蓝紫色半导体激光器论文。该研究小组已经试制出利用GaN结晶非极性面的蓝紫色半导体激光器，并发表了论文。此次的研究成果刊登在“Japanese Journal of Applied Physics(Vol.46，No.19，2007)”。 GaN结晶的半极性面是相对极性面c面（（0001）面）倾斜的面，非极性面则是与极性面垂直的面。一般来说，目前蓝光光盘的光驱和HD DVD光驱使用的蓝紫色半导体激光器和青色LED芯片等GaN类发光元件是在GaN结晶的极性面上制造的。理论上，与利用极性面的情况相比，在半极性面和非极性面上形成发 |
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